SemiNex stellt optische Verstärker mit hoher Verstärkung für LIDAR vor

Der US-Entwickler von Laserdioden sagt, dass seine neuesten Geräte FMCW-LIDAR mit großer Reichweite und kohärenter Erkennung ermöglichen.

SemiNex, das auf langwellige Laserdioden spezialisierte Unternehmen mit Sitz in Massachusetts, erweitert sein Angebot an Optionen für LIDAR-Anwendungen in der Automobilindustrie um neue optische Halbleiterverstärker (SOAs), die für die frequenzmodulierte Dauerstrichtechnologie (FMCW) geeignet sind.

Die High-Gain-SOAs, die im Wellenlängenbereich von 1250–1650 nm verfügbar sind, sollen eine hohe Sättigungsausgangsleistung von 500 mW emittieren und somit eine FMCW-Leistung mit großer Reichweite und kohärenter Detektion ermöglichen.

„SemiNex kann mit Ihnen an kundenspezifischen Designs individueller Verstärker oder Arrays arbeiten, um die Anforderungen in Ihren integrierten Systemen zu erfüllen“, kündigte das Unternehmen auf der an LASER Welt der Photonik Veranstaltung in München.

Vorteile der Triple-Junction
Der Umzug zur Unterbringung FMCW-Designs, die komplexer als herkömmliche Zeitflug-Lidars sind, aber sowohl die Position als auch die Geschwindigkeit anderer Objekte auf der Straße messen können, folgt auf die Einführung von 1550-nm-Dioden mit Dreifachübergang für gepulste Systeme von SemiNex im vergangenen Jahr.

Daniel Chu, Vizepräsident für Marketing und Geschäftsentwicklung bei SemiNex, umriss die Technologie hinter den Triple-Junction-Geräten in einer Präsentation auf der LASER-Messe und sagte, das globale Patent des Unternehmens auf den Ansatz bedeute, dass es das einzige Unternehmen der Welt sei, das in der Lage sei, die Geräte herzustellen .

Aufgrund von Augenschutzbestimmungen, die die Menge an optischer Leistung begrenzen, die im 905-nm-Bereich eingesetzt werden kann, bieten Lidars mit längerer Wellenlänge ein viel größeres „Photonenbudget“ – und ermöglichen so die Art von Langstreckenleistung, die für sich schnell bewegende autonome Fahrzeuge erforderlich ist .

Da die längerwelligen Emitter unter Verwendung eines Indiumphosphid-Materials hergestellt werden, sind sie typischerweise viel teurer als 905-nm-Vorrichtungen. SemiNex wies jedoch darauf hin, dass die Triple-Junction-Chips bei einer Produktion in großen Mengen mit den von der Automobilindustrie angestrebten Preispunkten kompatibel wären.

Effizienzgewinne
Chu erläuterte die „bahnbrechenden“ Eigenschaften eines Triple-Junction-Emitters im Vergleich zu einem einzelnen 905-nm-Chip, wobei das 1550-nm-Gerät eine weitaus höhere Impulsenergie, eine größere Zielreichweite und ein hervorragendes Signal-Rausch-Verhältnis bietet.

Das epitaxiale Design von SemiNex basiert auf drei aktiven Regionen und zwei Tunnelübergängen, die eine Ausgangsleistung von bis zu 100 W aus einer 350-µm-Apertur und einen deutlich höheren Wallplug-Wirkungsgrad als ein Gerät mit einem einzigen Übergang erzeugen.

Während die Verwendung von drei Übergängen die dreifache optische Leistung eines Single-Junction-Designs erzeugt, erhöht sich die Spannung des Geräts nur um 50 Prozent – was bedeutet, dass der elektrische Wirkungsgrad verdoppelt wird.

„Für die Flugzeit [Lidar] übertreffen 1550 nm 905 nm in jeder Kategorie“, sagte Chu und fügte hinzu, dass ein Array der Triple-Junction-Emitter eine optische Spitzenausgangsleistung von mehr als einem Kilowatt für Flash-Lidar-Systeme liefern könnte, wenn erforderlich.

Ed McIntyre, VP of Sales von Chu und SemiNex, gab an, dass mehrere Kunden derzeit Triple-Junction-Dioden und High-Gain-SOAs testen, wobei Muster eines neuen SOA diesen Sommer verfügbar sein sollen.

Die beiden fügten hinzu, dass sie nicht erwartet hätten, dass sich die LIDAR-Branche auf eine „einzige Lösung“ für Automobilanwendungen konvergieren würde, was darauf hindeutet, dass es weiterhin einen Platz für Time-of-Flight-, Flash- und FMCW-Ansätze geben würde, an denen die Automobilhersteller arbeiten Finden Sie heraus, wie Sie LIDAR am besten mit anderen Sensoren wie Radar und Kameras in Sensorfusionssystemen für verschiedene Fahrzeugtypen kombinieren können.

Über SemiNex Corporation:


SemiNex Corporation entwickelt und fertigt proprietäre Hochleistungs-Halbleiter-Infrarotlaserdioden-basierte Baugruppen und optische Verstärker für Automobil-LiDAR-, Militär-, Medizin- und Industrieanwendungen. Die Produkte von SemiNex basieren auf fortschrittlicher Quantenphysik und verwenden hochwertige Indiumphosphid- und Galliumantimonid-Materialien, die Wellenlängen zwischen 1250 nm und 1940 nm mit erstklassiger optischer Ausgangsleistung sowie überlegener thermischer und elektrischer Effizienz unterstützen. SemiNex Corporation passt seine Epitaxie-Designs und Geräteverpackungen an die individuellen Anforderungen seiner Kunden an.

SemiNex hat seinen Hauptsitz in den USA.

Erfahren Sie mehr unter www.seminex.com.

Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an SemiNex Corporation unter sales@seminex.com.

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